單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠離介質(zhì)接觸面，實(shí)現機械隔離和熱隔離，玻璃燒結一體的傳感器引線(xiàn)與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線(xiàn)路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力，可應對復雜的化學(xué)場(chǎng)合和機械負荷，同時(shí)具備強大的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應用。

一、介紹

單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠離介質(zhì)接觸面，實(shí)現機械隔離和熱隔離，玻璃燒結一體的傳感器引線(xiàn)與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線(xiàn)路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力，可應對復雜的化學(xué)場(chǎng)合和機械負荷，同時(shí)具備強大的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應用。

二、特點(diǎn)

1、單晶硅技術(shù)壓力傳感器

2、雙膜片過(guò)載防護結構

3、集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊

4、顯示模塊可355°旋轉

5、殼體外隔離磁感應三按鍵參數設置

6、耐瞬變電壓保護端子模塊

三、技術(shù)參數

1、使用對象：液體、氣體和蒸汽；

2、供電電壓：12～36V DC，標準值24VDC；

3、輸出信號：4～20mADC；(特殊可為四線(xiàn)制 220V AC供電 0-10mA DC輸出)

4、環(huán)境溫度：－25～70℃（一般變送器），－15～70℃（帶現場(chǎng)指示器）

5、儲藏溫度：－40～100℃；

6、防護等級：dⅡBT4  iaⅡCT5；

7、法蘭標準：JB/T82.2－94（執行其它標準請注明）；

8、電源影響：小于輸出范圍的±0.005%/V；

9、振動(dòng)影響：在任何方向上振動(dòng)頻率200Hz時(shí)，所引起的誤差為zui大范圍的0.05%／g（微差壓為0.25%／g）；

10、安裝位置影響：當工作膜片未垂直安裝時(shí)，可能產(chǎn)生不大于0.24Pa的零位誤差，此誤差可通過(guò)調整零位來(lái)消除，對量程無(wú)影響

11、單晶硅壓力變送器精度:0.2%  0.5%   智能型;0.075%

12、穩定性：六個(gè)月內不超過(guò)變送器的精度；

13、導壓連接件：在壓力容室上的連接螺孔為1/2－14NPT.與普通1151相同;

14、電纜連接孔的螺孔為M20×1.5；

15、指示器：現場(chǎng)輸出指示器有電流表，線(xiàn)性指示0～；3-1/2位LCD液晶顯示；

16、量程和零位：外部連續可調；　

17、正負遷移：差壓變送器：zui大正遷移量為500%，zui大負遷移量為600%

18、zui對壓力：zui大正遷移量為500%，只可正遷移；　

19、過(guò)載壓力：不超過(guò)規定壓力的1.15倍，變送器不會(huì )損壞；　

20、容積變化量：小于0.16cm3　

21、阻尼時(shí)間：充硅油時(shí),0.2～1.67秒內連續可調.

22、隔離膜片：3l6不銹鋼，哈氏合金C一2 7 6，蒙乃爾合金或鉭

23、排氣／排液閥：316不銹鋼，哈氏合金C，蒙乃爾合金

24、法蘭和接頭：3 I 6不銹鈉，哈氏合金C或蒙乃爾合舍

25、接觸介質(zhì)“O”形環(huán)：丁晴橡膠，氟橡膠

26、灌充液：硅油或惰性油

27、螺  栓：316L不銹鋼

28、電子殼體材料：低銅鋁合金

29、引壓連接件：法蘭、NPT 1／4，中心距54mm；接頭NPT 1／2或M20×1．5陽(yáng)螺紋球錐面密封，帶接頭時(shí)中心距50.8、54、57.2mm(NPT錐管螺紋符合GB／Tl2716-91)

30、信號線(xiàn)連接孔：G 1/2

五、選型

選型表

附件及材質(zhì)代碼